誰能幫我看看電路圖上場效應(yīng)管的三個引腳分別是什么？很簡單的問題 。

場效應(yīng)管與普通三極管功能一樣 ，三個電極對應(yīng)為：發(fā)射機---源極S
，基極--柵極G，集電極--漏極D
。IRF640管腳排列為（管腳朝下 、面對型號）左起1腳為G ，2腳為D，3腳為肆液前S。

從門極向漏極擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型
，ID飽和 。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷
。

擴(kuò)展資料：

作用：

場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高 ，因此耦合電容可以容量較小
，不必使用電解電容裂清器 。場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換
。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應(yīng)管可埋敗以用作可變電阻 。

mos管至少有四個引腳 ，四個引腳分別怎么用？

MOS管只有四個引腳
，即漏極
、柵極、源極和襯底
。

NMOS和PMOS的接法是不一樣的。

NMOS：漏極→輸出信號 、柵極→輸入信號、源極→低電平(或地)
、襯悔穗稿底→低電平(或地) 。

PMOS：漏極→輸出信號、柵極碧孝→輸入信號 、源極→高電平(或電源)
、襯底→高電族睜平(或電源)
。

MOS管有用的管腳就是三個：源極、漏極 、柵極。多余的管腳或者是同名管腳（在內(nèi)部和漏極
、柵極相連，特別是有些大功率管） ，或者是空腳（沒有內(nèi)部連接
，只起焊接固定作用） 。

我想問問mos管三個引腳怎么區(qū)分

判定柵極G：將萬用表撥至R×1k檔灶禪,用萬用表的負(fù)極任意接一電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個極,測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等,則負(fù)表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換,若兩次測出的電阻都很大,則為N溝道；若兩次測得的阻值都咐辯液很小,則為P溝道
。判定源極S、漏極D：在源-漏之間有一個PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正 、反向電阻存在差異,可識別S極與D極.用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十衡物幾千歐)的一次為正向電阻,此時黑表筆的是S極,紅表筆接D極。

mos管，即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管 。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體
。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的 ，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下
，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能 。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的
。

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場效應(yīng)管（MOS）三個腳怎么區(qū)分？N和P怎么區(qū)分？

場效應(yīng)管

mos管的引腳定義的

柵極

相當(dāng)于

晶體管

的

基極

mos管的引腳定義，源極和漏極分別對應(yīng)于晶體管的

發(fā)射極

和

集電極

。將

萬用表

置于R×1k檔mos管的引腳定義
，用兩

表筆

分別測量每兩個管腳間的正
、

反向

電阻

 。當(dāng)某兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)KΩ時 ，則這兩個管腳為漏極D和源極S（可互換）
，余下的一個管腳即為柵極G
。

根據(jù)場效應(yīng)管的

PN結(jié)

正 、反向電阻值不一樣的數(shù)核現(xiàn)象，可以判別出

結(jié)型場效應(yīng)管

的三個電極mos管的引腳定義：若兩次測出的電阻值均很大 ，說明是PN結(jié)的反向
，即都是反向電阻，可以判定是N

溝道

場效應(yīng)管 ，且薯迅掘

黑表

筆接的是柵極mos管的引腳定義；若兩次測出的電阻值均很小
，說明是正向PN結(jié)，

即是

正向電阻

 ，判定為P溝道場效昌逗應(yīng)管
，黑表筆接的也是柵極。

MOS管的引腳 ，G 、S、D分別代表什么？

G：gate

柵極；S：source

源極；D：drain

漏極 。N溝道的電源一般握茄接在D，輸出S
，P溝道的電源一般接在S，輸出D
。增強耗盡接法基本一樣。

晶體管有N型channel所有它稱為N-channel

MOS管 ，或NMOS 。P-channel

MOS（PMOS）管也段模察存在
，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管
。

擴(kuò)展資碼顫料

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。

MOS管的source和drain是可以對調(diào)的 ，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū) 。在多數(shù)情況下
，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的
。

參考資料mos管_搜狗百科

IRF3808這個mos管
。。

正面缺并伏信看

4 是散伏廳跡熱片

1 - GATE

2 - DRAIN

3 - SOU RC E

4 - DRAIN

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，技術(shù)資料也有所不同，所以不能直接呈現(xiàn) ，有需求的客戶請與聯(lián)系我們洽淡13715099949/聯(lián)系13715099949/13247610001
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